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ORTEC带电粒子探测器

产品时间:2020-04-10

简要描述:

ORTEC带电粒子探测器
主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从耗尽层厚度、结电容、漏电流、电子噪声、能量分辨率等性能指标上综合权衡

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ORTEC带电粒子探测器​


1 带电粒子的测量与探测器的基本类型
 
   。
 
   用于alpha能谱测量的ULTRA和ULTRA-AS探测器采用了表面钝化和离子注入工艺(即PIPS探测器),该工艺的探测器有诸多优点:接触极更薄,更坚固;低噪声,对Alpha能谱分辨率好;使用边缘钝化技术,可以使样品离探测器入射窗小到1毫米。而一般的面垒型探测器zui小只能达到2.5毫米。所以该类型探测器的效率要更高;常温使用,探测器窗可擦拭。
 
   Ultra-AS针对Ultra的区别或改进是采用了进一步低本底的材料,以专适于在ORTEC Alpha Suite谱仪。
 
   ULTRA-CAM系列则是针对气溶胶连续监测设计,探测器具有特殊密闭和抗潮性能。
 
   Beta能谱测量的难处在于常温状态下由硅探测器很难获得良好的分辨率。ORTEC提供以下两种解决方案:1,Beta-X Si(Li)一体化探测器(包含探头,冷指前放);2,A和L系列可制冷的厚硅探测器。
 

    ORTEC带电粒子探测器在核物理实验中的应用有诸多方面,ORTEC在其探测器类型上都有相应的侧重。比如重离子由于其高度电离和短径迹特性,需要探测器在前接触级具有强电场,适用的F系列探测器在前接触级的场强为20,000V/cm。而对带电粒子的时间谱测量,需要用ULTRA系列或能承受超电压的强场局部耗尽探测器。
 
 ORTEC带电粒子探测器

ULTRA与ULTRA-AS系列离子注入硅探测器
 

A系列局部耗尽金硅面垒探测器


B系列全耗尽金硅面垒探测器

C系列环形局部耗尽金硅面垒探测器

D系列平面全耗尽金硅面垒探测器

F系列局部耗尽重离子金硅面垒探测器

L系列锂漂移硅(室温)探测器



带电粒子探测器

需要提供以上探测器详细参数请致电我公司
 

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