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低本底多道γ能谱仪采用高灵敏度闪烁晶体探测器及低噪声光电倍增管，具有很高的探测效率
荷灵敏放大器
输入信号极性：正或负
输出：能量信号E口和定时信号T口
噪声
探测器电容pF 大噪声（keV）（Si）
0 1.90
100 4.60
1000 35
（硅等效ε=3.6eV，τ=2µs）
积分非线性：≤±0.05%（0-±7V，开环）或±3.5V（93Ω终端电阻）
温度稳定性：<±50ppm/℃ (0-50℃)
开环增益 >40,000
电荷灵敏度 45mV/MeV
E2CRP 7×107MeV2/s
上升时间（0到0.5V，能量输出口，93Ω负载） <20ns（0pF），<50ns（100pF）
动态输入电容：10,000pF
探测器偏压 ±3000V
电荷灵敏放大器
适用正比计数器 输出：能量信号E口和定时信号T口 噪声 探测器电容pF 典型值 保证值 0 295rms 电子 340rms 电子 100 450rms 电子 485rms 电子 （硅等效ε=3.6eV，τ=2µs） 积分非线性：≤±0.05%（0-±7V，开环）或±3.5V（93Ω终端电阻） 温度稳定性：<±50ppm/℃ (0-50℃) 开环增益 >40,000 灵敏度 6.5V/pC E2CRP 7×107MeV2/s 上升时间（0到0.5V，能量输出口，93Ω负载） <25ns（0pF），<150ns（100pF） 动态输入电容：10,000pF 探测器偏压 ±3000V |
Fast Preamplifier 适用于PMT， 电子倍增器等（光子或离子计数） 输入阻抗：50Ω 电压增益：10（±2%），不倒相 上升时间：<1.5ns 输入等效噪声：<25µV 输出动态范围：>±0.7V（50Ω负载） 非线性：<±1% 增益稳定性：<±0.1%/℃ 电源需求：+12V/30mA，-12V/30mA |
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