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DeepLight无铜硅晶圆
产品简介

DeepLight无铜硅晶圆是面向集成光子的无铜硅晶圆深光提供100mm和150mm硅晶圆   ,专门设计用于防止铜扩散进入光子器件层。我们不是在后段工艺中补救吸收相关退化,而是在基底层面去除根因。

产品型号:
更新时间:2026-06-02
厂商性质:代理商
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1.产品特点:

DeepLight无铜硅晶圆是面向集成光子的无铜硅晶圆

深光提供100mm和150mm硅晶圆   ,专门设计用于防止铜扩散进入光子器件层。我们不是在后段工艺中补救吸收相关退化,而是在基底层面去除根因。

由此形成更洁净的材料平台,在整片晶圆制造和封装流程中保持光学纯度。

采用无铜硅晶圆构建无吸收损耗的光子集成电路,面向超低损耗和可重复的晶圆级光子性能而设计。

2.核心优势:

在晶圆加工过程中,即使痕量铜也会扩散进入介质 PIC层。在低损耗光子集成电路中,这种污染会形成吸收中心,导致热漂移并降低 Q 因子。 Deeplight的无铜硅晶圆从基底层面消除这一限制,可实现:

超低热漂移与高度稳定的谐振

超低光学损耗与持续稳定的高 Q 因子

整片晶圆范围内一致的器件性能

Si3N4微谐振腔中可预测、可重复的孤子形成

无需修改您现有的光子芯片制造工艺,不影响代工厂兼容性。

3.应用领域:

高性能微梳、下一代LiDAR、精密传感平台、通信系统和量子光子器件

4.技术规格

产品供应:带热氧化膜的硅晶圆

尺寸(英寸)

4 / 6

热氧化层厚度( nm)

0 – 9000

最小订购量(片)

10

硅晶圆厚度

300 – 500 µm


案例:确定性孤子微梳

DeepLight无铜硅晶圆可消除铜向光子层迁移的问题,去除光学吸收和热漂移的重要来源。基于这种洁净的基底平台,Si3N4微谐振腔能够实现稳定、可重复的孤子形成;即使在约40GHz的低重复频率、热敏感性很高的条件下也能保持稳定。

这使得无需复杂调谐方案即可实现确定性的 DKS生成,为下一代相干传感、精密定时和通信系统提供可靠的微梳运行基础。



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